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拉單晶專用鎵摻雜劑

 
單價: 面議
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發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 3 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 北京 通州
有效期至: 長期有效
最后更新: 2012-03-08 09:05
瀏覽次數(shù): 2625
 
公司基本資料信息
詳細說明

拉單晶專用鎵摻雜劑(Ga Dopant
鎵為IIIA族元素,原子量為69.72,英文名稱為Gallium,簡稱Ga。鎵質(zhì)軟,淡藍色光澤。熔點29.78℃。沸點2403℃。具有無毒、不揮發(fā)、不燃、不爆炸等特性。是硅半導(dǎo)體摻雜的重要元素。
光衰減率≤2%屬于檢測范圍內(nèi),可視為無衰減。正如拉制無位錯單晶并非是零位錯的,而是位錯密度≤3000CM-2的單晶可視為無位錯的。
用鎵代替硼作為摻雜劑來拉制太陽電池單晶,可以提高電池的轉(zhuǎn)換效率和降低光衰減問題(因為避免了硼氧復(fù)合體-嚴重影響光衰減率的深能級的產(chǎn)生)。
本公司提供進口拉單晶專用鎵摻雜劑,包括以下品種:
7N進口拉單晶專用鎵摻雜劑
8N進口拉單晶專用鎵摻雜劑


 
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