5月22日，保利協(xié)鑫切片事業(yè)部副總裁金善明在參加“多晶金剛線切與黑硅技術(shù)論壇”時發(fā)表題為《多晶硅片金剛線切割技術(shù)最新進(jìn)展》報告，分析介紹了多晶硅片金剛線切割技術(shù)的優(yōu)勢和挑戰(zhàn)，指出黑硅技術(shù)有望成為金剛線切多晶技術(shù)真正走向量產(chǎn)的“出海口”。

金善明表示，從成本角度來看，大規(guī)模應(yīng)用金剛線切割是晶體硅光伏的大勢所趨，但在多晶領(lǐng)域進(jìn)展仍比較緩慢。從目前小規(guī)模量產(chǎn)的情況看，金剛線切多晶有著多項明顯優(yōu)勢。其中，切割效率可提升20%-40%，切割成本可降低20%是其最主要的貢獻(xiàn)。此外，金剛線切割的多晶片還具有表面損傷少、潔凈度高、幾何參數(shù)優(yōu)、機械不良率低等特點，切割過程也更加環(huán)保，品質(zhì)控制更加優(yōu)秀。樹脂線切多晶硅片量產(chǎn)技術(shù)的成功研發(fā)，也順利解決了斷線、切割臺速低、碎片率高等問題。

針對金剛線切多晶硅片表面損傷層淺、反射率高等問題，黑硅技術(shù)可以解決硅片的絨面難題，并大幅提升電池端轉(zhuǎn)化效率。以濕法黑硅技術(shù)為例，從批量實驗片數(shù)據(jù)來看，電池效率可提升0.2%以上。而等離子刻蝕技術(shù)則可以提升0.5%以上。金善明進(jìn)一步指出，將黑硅絨面的多晶硅片集成PERC技術(shù)后，可實現(xiàn)“1+1>2”的效果，帶來更大的電池性能增益。