· 全新Endura® Volta™系統獨特的鈷制程可減少互連的瓶頸，助力摩爾定律的延續

· 鈷制程兩項突破性互連應用支持下一代高性能、低能耗芯片

· 工業界首次應用選擇性化學氣相沉積（CVD）金屬制程，展示了應用材料公司在精密材料工程中的領導地位

2014年5月13日，加州圣克拉拉——應用材料公司推出Applied Endura® Volta™ CVD Cobalt 系統，這是現今唯一一款在邏輯芯片銅互連工藝中能夠通過化學氣相沉積實現鈷薄膜的系統。鈷薄膜在銅工藝有兩種應用，平整襯墊（Liner）與選擇性覆蓋層（Capping Layer），將銅互連的可靠性提高了一個數量級。這一應用是15年來銅互連技術材料方面最顯著改變。

應用材料公司執行副總裁兼半導體事業部總經理Randhir Thakur博士指出：“對于器件生產商來說，芯片中連接著上億個晶體管線路，連線的性能與可靠性是極其重要的。隨著摩爾定律的推進，線路尺寸越來越小，減少影響器件工作的空隙與防止電遷移失效就顯得更加必要”。基于應用材料公司業界領先的精密材料工程技術所建立的Endura Volta 系統，可通過提供以CVD為基礎的平整襯墊與選擇性覆蓋層，克服了良率極限，幫助我們的客戶將銅互連技術推進到28納米及以下。

基于Endura Volta CVD系統的鈷工藝包括兩個主要的工藝步驟。第一步是沉積一層平整的薄鈷襯墊膜，相對于典型的銅互連工藝，鈷的應用可為有限的互連區域填充銅提供更大的空間。這一步驟通過在同一平臺，超高真空下整合預清洗（Pre-clean）/ 阻擋層（, PVD Barrier）/ 鈷襯墊層（CVD Liner）/ 銅種子層（Cu Seed）制程，以改進器件的性能與良率。

第二個步驟在銅化學機械研磨（Cu CMP）之后，沉積一層選擇性CVD 鈷覆蓋膜，改善接觸界面，進而提高器件的可靠性，可達到80倍。

應用材料公司副總裁兼金屬沉積產品事業部總經理Sundar Ramamurthy博士指出：“應用材料公司獨特的CVD 鈷制程是一種基于材料創新的解決方案。在近十年的開發中取得的這些材料與制程的創新，正在被我們的客戶接受并用于制造高性能移動與服務器芯片。

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應用材料公司（納斯達克：AMAT）是一家全球領先的高科技企業。應用材料公司的創新設備、服務和軟件被廣泛應用于先進半導體芯片、平板顯示器和太陽能光伏產品制造產業。我們的技術使智能手機、平板電視和太陽能面板等創新產品以更普及、更具價格優勢的方式惠及全球商界和普通消費者。欲了解更多信息，請訪問：www.appliedmaterials.com。