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轉換效率再突破 CIGS非真空制程趁勢崛起

   2011-07-21 21050
核心提示:在Nanosolar利用非真空印刷制程將銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池轉換效率提升至13%后,讓該技術頓時聲名大噪。不同于多數CIGS業者使用的
在Nanosolar利用非真空印刷制程將銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池轉換效率提升至13%后,讓該技術頓時聲名大噪。不同于多數CIGS業者使用的真空印刷技術,非真空制程可擁有更低制造成本。值此太陽能價格競爭激烈之際,非真空印刷制程可望成為CIGS業者鞏固市場版圖的重要武器。  



工研院綠能與環境研究所太陽光電技術組副組長蔡松雨表示,有別于真空制程技術產線安裝至少1~2年時間,且建置成本昂貴,非真空印刷涂布制程在安簡易度與生產成本更具競爭力。

工研院綠能與環境研究所太陽光電技術組副組長蔡松雨表示,相較于真空濺鍍(Sputtering)、共蒸鍍(Co-evaporation)制程技術,非真空印刷制程技術成本可大幅降低;此外,為使價格更具競爭力,薄膜太陽能電池制造商均戮力朝大面積發展,惟大面積均勻度將會是一大技術挑戰,此將使非真空印刷制程技術后勢深具潛力。  

在Solar Frontier、Avaneis、Solarion AG、Solibro GmbH、Stion等CIGS廠商力拱之下,現階段真空制程技術市場滲透率已獨占鰲頭,但值得關注的是,今年4月,美商Nanosolar宣布旗下透過非真空印刷制程技術開發的CIGS太陽能電池模組量產及實驗室最高轉換效率已分別突破10%及13%,并將持續挑戰Solar Frontier最高量產轉換效率達12.2%與最高實驗室轉換效率達17.2%的紀錄。  

不僅轉換效率大幅躍進,Nanosolar最備受各界矚目的是已發展出非真空印刷涂布卷對卷(R2R)制程,此種極具成本優勢的太陽能技術將可望為太陽能產業掀起重大革命。蔡松雨認為,非真空印刷涂布制程技術若能穩定產出,將可顯著縮減制造成本,未來將較真空制程技術更易于擴充產能,無論價格與產能皆更具競爭力。  

囿于CIGS技術門檻高,再加上制程設備的統包方案尚未到位,墊高新進業者跨入門檻。現今,除Nanosolar之外,北美ISET亦為發展CIGS非真空印刷涂布制程技術的代表性廠商。  

不讓外商專美于前,透過經濟部技術處資源統合,國內工研院、中科院、金屬中心等單位亦已展開非真空印刷涂布制程技術研發,蔡松雨指出,傳統非真空制程技術一般作在玻璃基板上,未來將考慮使用不銹鋼基板搭配R2R制程,將更適合用于屋頂太陽能板安裝。 

 
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